近幾年來(lái)，由于國(guó)家及部分地方**的重視以及與LED行業(yè)相關(guān)的大學(xué)、研究所、企業(yè)均在資金、人力、物力方面投入較大，在LED技術(shù)上的研究成果及產(chǎn)業(yè)化方面均有很大的發(fā)展，但與國(guó)外先進(jìn)水平相比還有一定的差距。

    兩類(lèi)高亮度LED增長(zhǎng)率逾50%

    近年來(lái)我國(guó)內(nèi)地LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，高亮度及白光LED的發(fā)展動(dòng)態(tài)引人注目。高亮度及白光LED是指四元系A(chǔ)lGaInP發(fā)紅、橙、黃色的LED和GaN基發(fā)藍(lán)、綠、紫、紫外光的LED以及由藍(lán)(或紫、紫外)芯片加熒光粉或由多芯片組合而成的白光LED，這兩類(lèi)高亮度LED近年來(lái)在我國(guó)內(nèi)地發(fā)展非常迅速，增長(zhǎng)率均超過(guò)50%。

    根據(jù)中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電器件分會(huì)的統(tǒng)計(jì)和分析估計(jì)，2005年全國(guó)從事LED的企業(yè)(不含外商投資企業(yè))約2000多家，其中外延、芯片的研發(fā)和生產(chǎn)單位有30多家，封裝企業(yè)約600家，應(yīng)用產(chǎn)品和配套企業(yè)有1600多家。從LED的原材料、外延、芯片、封裝、應(yīng)用及相關(guān)配套件、設(shè)備儀表等，已形成較完善的LED產(chǎn)業(yè)鏈。無(wú)論是高亮度芯片或器件，發(fā)展速度都非?？?，增長(zhǎng)率分別超過(guò)100%和50%。

    高亮度芯片產(chǎn)量將超120億只

    LED的核心技術(shù)是外延、芯片制造技術(shù)，特別是高亮度LED和功率LED的核心技術(shù)。有關(guān)**部門(mén)及相關(guān)大學(xué)、研究所、企業(yè)均高度重視，投入大量資金、人力加以研究、開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，主要研究機(jī)構(gòu)有北大、清華、南昌大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、物理所、中電13所、華南師大、北京工大、深圳大學(xué)、山東大學(xué)、南京大學(xué)等，在技術(shù)上主要解決硅襯底上生長(zhǎng)GaN外延層、GaN基藍(lán)光波長(zhǎng)漂移、提高內(nèi)量子效率和出光效率、提高抗光衰能力和功率芯片的散熱水平等等。

    目前已研發(fā)1W的功率LED芯片可產(chǎn)業(yè)化，其發(fā)光效率為30lm～40lm/W，最高可達(dá)47.5lm/W，單個(gè)器件發(fā)射功率為150mW，最高可達(dá)189mW。南昌大學(xué)近年來(lái)開(kāi)展在硅襯底上生長(zhǎng)GaN外延材料研究，該成果取得突破性進(jìn)展，最近通過(guò)“863”項(xiàng)目驗(yàn)收，并獲得多項(xiàng)有自主產(chǎn)權(quán)的國(guó)際發(fā)明專(zhuān)利。已研發(fā)的藍(lán)光芯片發(fā)射功率達(dá)7mW～8mW，最好為9mW～10mW，芯片成品率為80%，功率LED芯片在350mA下發(fā)射功率為100mW～150mW，最好可達(dá)150mW。在500mA、1000小時(shí)通電試驗(yàn)下，藍(lán)光的光衰小于5%。

    國(guó)內(nèi)LED外延、芯片的主要企業(yè)有：廈門(mén)三安、大連路美、深圳方大、上海藍(lán)光、上海藍(lán)寶、山東華光、江西聯(lián)創(chuàng)、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀(jì)晶源、廣州普光、杭州士藍(lán)明芯、楊州華夏集成，甘肅新天電公司等。這些企業(yè)近年來(lái)在研發(fā)和工藝技術(shù)改進(jìn)方面做了大量工作，在提高產(chǎn)品性能、成品率、工藝重復(fù)性、抗光衰和可靠性等方面做了大量工作，取得較好成果，保障了LED芯片的批量生產(chǎn)。